Темплейт GaN/Al2O3 на основе синтетического корунда для эпитаксиального роста
| Тип извещения | Открытый аукцион в электронной форме |
| Номер извещения | 0372100045713000175 |
| Регион | Санкт-Петербург |
| Наименование | темплейт GaN/Al2O3 на основе синтетического корунда для эпитаксиального роста |
| Место публикации | ЗАО "Сбербанк-АСТ" |
| Дата публикации | 25 сентября 2013 года |
Контактная информация
| Размещение заказа осуществляется специализированной организацией | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук |
| Почтовый адрес | Российская Федерация, 194021, Санкт-Петербург, Политехническая, 26 |
| Фактический адрес | Российская Федерация, 194021, Санкт-Петербург, Политехническая, 26 |
| Телефон | 7-812-2979632 |
| Факс | 7-812-2927313 |
| Электронная почта | veram@mail.ioffe.ru |
| Контактное лицо | Саласюк Вера Николаевна |
Предмет контракта
| Предмет контракта | темплейт GaN/Al2O3 на основе синтетического корунда для эпитаксиального роста |
| Начальная (максимальная) цена контракта | 2,983,512.00 руб. |
| Количество товара, объем работ или услуг | в соответствии со спецификацией |
| ОКДП | Монокристаллы корунда, шпинели |
| Место поставки товара, выполнения работ или оказания услуг | Российская Федерация, 194021, Санкт-Петербург, Политехническая, 26, - |
| Срок поставки товара, выполнения работ или оказания услуг | В течение 5 (пяти) рабочих дней со дня заключения договора |
| Заказчик | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук |
Сопутствующая документация
- • ЭАД266, ЭАД266.doc
- • Извещение_ЭА266, Извещение_ЭА266.doc